IRFW740BTM
Payment:
Delivery:

IRFW740BTM , fairchild semiconductor

Производитель: fairchild semiconductor
Mfr.Part #: IRFW740BTM
Пакет:
RoHS:
Техническая спецификация:

PDF For IRFW740BTM

ECAD:
Описание:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Запрос коммерческого предложения In Stock: 827706
Полезные советы: заполните форму ниже, и мы свяжемся с вами в ближайшее время.
*Количество:
*Ваше имя:
*Email:
телефон:
Целевая цена:
замечание:
Отправить запрос
  • Product Details
  • Shopping Guide
  • FAQs
Технические характеристики продукта
Product Attribute Attribute Value
Drain To Source Voltage (Vdss) 400 V
Vgs(Th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Mounting Type Surface Mount
Fet Type N-Channel
Vgs (Max) ±30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 10 V
Fet Feature -
Supplier Device Package D2PAK
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 134W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Перекрестные ссылки
11935333
415
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors_415?proid=11935333&N=
$