TK600N04T2
Payment:
Delivery:

IXTK600N04T2 , IXYS

Производитель: IXYS
Mfr.Part #: IXTK600N04T2
Пакет: TO-264-3
RoHS:
Техническая спецификация:

PDF For IXTK600N04T2

ECAD:
Описание:
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Запрос коммерческого предложения In Stock: 8
Полезные советы: заполните форму ниже, и мы свяжемся с вами в ближайшее время.
*Количество:
*Ваше имя:
*Email:
телефон:
Целевая цена:
замечание:
Отправить запрос
  • Product Details
  • Shopping Guide
  • FAQs
Технические характеристики продукта
Product Attribute Attribute Value
Manufacturer IXYS
Product Category MOSFET
RoHS
Type TrenchT2 GigaMOS
Product MOSFET Gate Drivers
Forward Transconductance - Min 90 S
Rds On - Drain-Source Resistance 1.5 mOhms
Rise Time 20 ns
Fall Time 250 ns
Mounting Style Through Hole
Pd - Power Dissipation 1.25 kW
Product Type MOSFET
Number Of Channels 1 Channel
Package / Case TO-264-3
Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 175 C
Channel Mode Enhancement
Series IXTK600N04
Packaging Tube
Brand IXYS
Configuration Single
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage 1.5 V
Qg - Gate Charge 590 nC
Technology Si
Id - Continuous Drain Current 600 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 40 V
Typical Turn-Off Delay Time 90 ns
Typical Turn-On Delay Time 40 ns
Factory Pack Quantity 25
Subcategory MOSFETs
Unit Weight 0.352740 oz
Tradename HiPerFET
Перекрестные ссылки
760862
1148
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/MOSFET_1148?proid=760862&N=
$