BC857BWE6327
Payment:
Delivery:

BC857BWE6327 , Infineon Technologies

Производитель: Infineon Technologies
Mfr.Part #: BC857BWE6327
Пакет:
RoHS:
Техническая спецификация:

PDF For BC857BWE6327

ECAD:
Описание:
BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
Запрос коммерческого предложения In Stock: 1707
Полезные советы: заполните форму ниже, и мы свяжемся с вами в ближайшее время.
*Количество:
*Ваше имя:
*Email:
телефон:
Целевая цена:
замечание:
Отправить запрос
  • Product Details
  • Shopping Guide
  • FAQs
Технические характеристики продукта
Product Attribute Attribute Value
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
Dc Current Gain (Hfe) (Min) @ Ic, Vce 220 @ 2mA, 5V
Power - Max 250 mW
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SC-70, SOT-323
Transistor Type PNP
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V
Supplier Device Package PG-SOT323
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Frequency - Transition 250MHz
Mounting Type Surface Mount
Перекрестные ссылки
6621546
2262
/category/Transistors/Bipolar-Transistors-BJT_2262?proid=6621546&N=
$