BUZ31L H
Payment:
Delivery:

BUZ31L H , Infineon Technologies

Производитель: Infineon Technologies
Mfr.Part #: BUZ31L H
Пакет:
RoHS:
Техническая спецификация:

PDF For BUZ31L H

Описание:
MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
Запрос коммерческого предложения In Stock: 42149
Полезные советы: заполните форму ниже, и мы свяжемся с вами в ближайшее время.
*Количество:
*Ваше имя:
*Email:
телефон:
Целевая цена:
замечание:
Отправить запрос
  • Product Details
  • Shopping Guide
  • FAQs
Технические характеристики продукта
Product Attribute Attribute Value
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package PG-TO220-3
Drain To Source Voltage (Vdss) 200 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 7A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 95W (Tc)
Fet Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Fet Feature -
Vgs(Th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Перекрестные ссылки
11951126
415
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors_415?proid=11951126&N=
$