FF600R12ME4
Payment:
Delivery:

FF600R12ME4 , Infineon Technologies

Производитель: Infineon Technologies
Mfr.Part #: FF600R12ME4
Пакет:
RoHS:
Техническая спецификация:

PDF For FF600R12ME4

Описание:
IGBT Modules IGBT 1200V 600A
Запрос коммерческого предложения In Stock: 447762
Полезные советы: заполните форму ниже, и мы свяжемся с вами в ближайшее время.
*Количество:
*Ваше имя:
*Email:
телефон:
Целевая цена:
замечание:
Отправить запрос
  • Product Details
  • Shopping Guide
  • FAQs
Технические характеристики продукта
Product Attribute Attribute Value
Manufacturer Infineon
Product Category IGBT Modules
Product IGBT Silicon Modules
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Mounting Style Chassis Mount
Pd - Power Dissipation 4050 W
Product Type IGBT Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.1 V
Minimum Operating Temperature - 40 C
Maximum Operating Temperature + 150 C
Packaging Tray
Part # Aliases FF600R12ME4BOSA1 SP000635448
Brand Infineon Technologies
Configuration Dual
Continuous Collector Current At 25 C 995 A
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Technology Si
Factory Pack Quantity 10
Subcategory IGBTs
Unit Weight 12.169517 oz
Перекрестные ссылки
805184
1160
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/IGBT-Modules_1160?proid=805184&N=
$