2N3507
Payment:
Delivery:

2N3507 , Microchip / Microsemi

Производитель: Microchip / Microsemi
Mfr.Part #: 2N3507
Пакет: TO-39-3
RoHS:
Техническая спецификация:

PDF For 2N3507

ECAD:
Описание:
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Запрос коммерческого предложения In Stock: 94
Полезные советы: заполните форму ниже, и мы свяжемся с вами в ближайшее время.
*Количество:
*Ваше имя:
*Email:
телефон:
Целевая цена:
замечание:
Отправить запрос
  • Product Details
  • Shopping Guide
  • FAQs
Технические характеристики продукта
Product Attribute Attribute Value
Manufacturer Microchip
Product Category Bipolar Transistors - BJT
RoHS
Maximum DC Collector Current 3 A
Mounting Style Through Hole
Pd - Power Dissipation 1 W
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
Package / Case TO-39-3
Collector- Base Voltage VCBO 80 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 500 mV
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Minimum Operating Temperature - 65 C
Maximum Operating Temperature + 200 C
Packaging Bulk
Brand Microchip / Microsemi
Configuration Single
DC Collector/Base Gain Hfe Min 35 at 500 mA, 1 V
DC Current Gain HFE Max 175 at 500 mA, 1 V
Transistor Polarity NPN
Technology Si
Factory Pack Quantity 1
Subcategory Transistors
Перекрестные ссылки
800348
1155
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/Bipolar-Transistors-BJT_1155?proid=800348&N=
$