VP2106N3-G
Payment:
Delivery:

VP2106N3-G , Microchip Technology

Производитель: Microchip Technology
Mfr.Part #: VP2106N3-G
Пакет: TO-92-3
RoHS:
Техническая спецификация:

PDF For VP2106N3-G

ECAD:
Описание:
MOSFET 60V 12Ohm
Запрос коммерческого предложения In Stock: 1
Полезные советы: заполните форму ниже, и мы свяжемся с вами в ближайшее время.
*Количество:
*Ваше имя:
*Email:
телефон:
Целевая цена:
замечание:
Отправить запрос
  • Product Details
  • Shopping Guide
  • FAQs
Технические характеристики продукта
Product Attribute Attribute Value
Manufacturer Microchip
Product Category MOSFET
RoHS
Type FET
Product MOSFET Small Signal
Forward Transconductance - Min 150 mmho
Rds On - Drain-Source Resistance 15 Ohms
Rise Time 5 ns
Fall Time 4 ns
Mounting Style Through Hole
Pd - Power Dissipation 1 W
Product Type MOSFET
Number Of Channels 1 Channel
Package / Case TO-92-3
Length 5.21 mm
Width 4.19 mm
Height 5.33 mm
Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C
Channel Mode Enhancement
Packaging Bulk
Brand Microchip Technology
Configuration Single
Transistor Polarity P-Channel
Transistor Type 1 P-Channel
Vgs - Gate-Source Voltage 5 V
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage 1.5 V
Technology Si
Id - Continuous Drain Current 250 mA
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V
Typical Turn-Off Delay Time 5 ns
Typical Turn-On Delay Time 4 ns
Factory Pack Quantity 1000
Subcategory MOSFETs
Unit Weight 0.016000 oz
Перекрестные ссылки
762854
1148
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/MOSFET_1148?proid=762854&N=
$