VP2110K1-G
Payment:
Delivery:

VP2110K1-G , Microchip Technology

Производитель: Microchip Technology
Mfr.Part #: VP2110K1-G
Пакет: SOT-23-3
RoHS:
Техническая спецификация:

PDF For VP2110K1-G

ECAD:
Описание:
MOSFET 100V 12Ohm
Запрос коммерческого предложения In Stock: 406402
Полезные советы: заполните форму ниже, и мы свяжемся с вами в ближайшее время.
*Количество:
*Ваше имя:
*Email:
телефон:
Целевая цена:
замечание:
Отправить запрос
  • Product Details
  • Shopping Guide
  • FAQs
Технические характеристики продукта
Product Attribute Attribute Value
Manufacturer Microchip
Product Category MOSFET
RoHS
Type FET
Product MOSFET Small Signal
Forward Transconductance - Min 150 mS
Rds On - Drain-Source Resistance 12 Ohms
Rise Time 5 ns
Fall Time 4 ns
Mounting Style SMD/SMT
Pd - Power Dissipation 360 mW
Product Type MOSFET
Number Of Channels 1 Channel
Package / Case SOT-23-3
Length 2.9 mm
Width 1.3 mm
Height 0.95 mm
Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C
Channel Mode Enhancement
Packaging Cut Tape or Reel
Brand Microchip Technology
Configuration Single
Transistor Polarity P-Channel
Transistor Type 1 P-Channel
Vgs - Gate-Source Voltage 10 V
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage 1.5 V
Technology Si
Id - Continuous Drain Current 120 mA
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 100 V
Typical Turn-Off Delay Time 5 ns
Typical Turn-On Delay Time 4 ns
Factory Pack Quantity 3000
Subcategory MOSFETs
Unit Weight 0.000282 oz
Перекрестные ссылки
765455
1148
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/MOSFET_1148?proid=765455&N=
$