MJ11012G
Payment:
Delivery:

MJ11012G , ON Semiconductor

Производитель: ON Semiconductor
Mfr.Part #: MJ11012G
Пакет: TO-204-2 (TO-3)
RoHS:
Техническая спецификация:

PDF For MJ11012G

ECAD:
Описание:
Darlington Transistors 30A 60V Bipolar Power NPN
Запрос коммерческого предложения In Stock: 742356
Полезные советы: заполните форму ниже, и мы свяжемся с вами в ближайшее время.
*Количество:
*Ваше имя:
*Email:
телефон:
Целевая цена:
замечание:
Отправить запрос
  • Product Details
  • Shopping Guide
  • FAQs
Технические характеристики продукта
Product Attribute Attribute Value
Manufacturer ON Semiconductor
Product Category Darlington Transistors
RoHS
Maximum DC Collector Current 30 A
Mounting Style Through Hole
Pd - Power Dissipation 200 W
Product Type Darlington Transistors
Package / Case TO-204-2 (TO-3)
Collector- Base Voltage VCBO 60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 60 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Length 39.37 mm
Width 26.67 mm
Height 8.51 mm
Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C
Series MJ11012
Packaging Tray
Brand ON Semiconductor
Configuration Single
Continuous Collector Current 30 A
DC Collector/Base Gain Hfe Min 200, 1000
Transistor Polarity NPN
Factory Pack Quantity 100
Subcategory Transistors
Unit Weight 0.056438 oz
Перекрестные ссылки
775494
1162
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/Darlington-Transistors_1162?proid=775494&N=
$