L12AWT1G
Payment:
Delivery:

L12AWT1G , ON Semiconductor

Производитель: ON Semiconductor
Mfr.Part #: NSL12AWT1G
Пакет: SC-70-6
RoHS:
Техническая спецификация:

PDF For NSL12AWT1G

ECAD:
Описание:
Bipolar Transistors - BJT 3A 12V Switching PNP
Запрос коммерческого предложения In Stock: 5
Полезные советы: заполните форму ниже, и мы свяжемся с вами в ближайшее время.
*Количество:
*Ваше имя:
*Email:
телефон:
Целевая цена:
замечание:
Отправить запрос
  • Product Details
  • Shopping Guide
  • FAQs
Технические характеристики продукта
Product Attribute Attribute Value
Manufacturer ON Semiconductor
Product Category Bipolar Transistors - BJT
RoHS
Maximum DC Collector Current 2 A
Mounting Style SMD/SMT
Pd - Power Dissipation 450 mW
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
Package / Case SC-70-6
Collector- Base Voltage VCBO - 12 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max - 12 V
Collector-Emitter Saturation Voltage - 170 mV
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Length 2 mm
Width 1.25 mm
Height 0.9 mm
Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C
Gain Bandwidth Product FT 100 MHz
Series NSL12AW
Packaging Cut Tape or Reel
Brand ON Semiconductor
Configuration Single
Continuous Collector Current - 2 A
Transistor Polarity PNP
Factory Pack Quantity 3000
Subcategory Transistors
Unit Weight 0.000988 oz
Перекрестные ссылки
777671
1155
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/Bipolar-Transistors-BJT_1155?proid=777671&N=
$