U3NA80_T0_00001
Payment:
Delivery:

PJU3NA80_T0_00001 , PANJIT

Производитель: PANJIT
Mfr.Part #: PJU3NA80_T0_00001
Пакет:
RoHS:
Техническая спецификация:

PDF For PJU3NA80_T0_00001

ECAD:
Описание:
MOSFET
Запрос коммерческого предложения In Stock: 241866
Полезные советы: заполните форму ниже, и мы свяжемся с вами в ближайшее время.
*Количество:
*Ваше имя:
*Email:
телефон:
Целевая цена:
замечание:
Отправить запрос
  • Product Details
  • Shopping Guide
  • FAQs
Технические характеристики продукта
Product Attribute Attribute Value
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Fet Type N-Channel
Power Dissipation (Max) 80W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 406 pF @ 25 V
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(Th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-251AA
Drain To Source Voltage (Vdss) 800 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V
Fet Feature -
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Перекрестные ссылки
11955316
415
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors_415?proid=11955316&N=
$