PH3212PS
Payment:
Delivery:

PH3212PS , Transphorm

Производитель: Transphorm
Mfr.Part #: TPH3212PS
Пакет: TO-220-3
RoHS:
Техническая спецификация:

PDF For TPH3212PS

ECAD:
Описание:
MOSFET GAN FET 650V 27A TO220
Запрос коммерческого предложения In Stock: 550
Полезные советы: заполните форму ниже, и мы свяжемся с вами в ближайшее время.
*Количество:
*Ваше имя:
*Email:
телефон:
Целевая цена:
замечание:
Отправить запрос
  • Product Details
  • Shopping Guide
  • FAQs
Технические характеристики продукта
Product Attribute Attribute Value
Manufacturer Transphorm
Product Category MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance 85 mOhms
Rise Time 7.5 ns
Fall Time 5 ns
Mounting Style Through Hole
Pd - Power Dissipation 104 W
Product Type MOSFET
Number Of Channels 1 Channel
Package / Case TO-220-3
Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C
Channel Mode Enhancement
Moisture Sensitive Yes
Brand Transphorm
Configuration Single
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Vgs - Gate-Source Voltage 18 V
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage 1.6 V
Qg - Gate Charge 14.6 nC
Technology GaN Si
Id - Continuous Drain Current 27 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 650 V
Typical Turn-Off Delay Time 55.5 ns
Typical Turn-On Delay Time 24 ns
Factory Pack Quantity 50
Subcategory MOSFETs
Перекрестные ссылки
724278
1148
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/MOSFET_1148?proid=724278&N=
$