-3C06ET07S2L-M3
Payment:
Delivery:

VS-3C06ET07S2L-M3 , Vishay General Semiconductor – Diodes Division

Производитель: Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Mfr.Part #: VS-3C06ET07S2L-M3
Пакет:
RoHS:
Техническая спецификация:

PDF For VS-3C06ET07S2L-M3

ECAD:
Описание:
650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Запрос коммерческого предложения In Stock: 459457
Полезные советы: заполните форму ниже, и мы свяжемся с вами в ближайшее время.
*Количество:
*Ваше имя:
*Email:
телефон:
Целевая цена:
замечание:
Отправить запрос
  • Product Details
  • Shopping Guide
  • FAQs
Технические характеристики продукта
Product Attribute Attribute Value
Capacitance @ Vr, F 255pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Current - Average Rectified (Io) 6A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.5 V @ 6 A
Reverse Recovery Time (Trr) 0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 35 µA @ 650 V
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package TO-263AB (D²PAK)
Technology SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - Dc Reverse (Vr) (Max) 650 V
Перекрестные ссылки
11843840
415
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors_415?proid=11843840&N=
$