-GP300TD60
Payment:
Delivery:

VS-GP300TD60S , Vishay Semiconductors

Производитель: Vishay Semiconductors
Mfr.Part #: VS-GP300TD60S
Пакет: DIAP
RoHS:
Техническая спецификация:

PDF For VS-GP300TD60S

Описание:
IGBT Transistors Ic 300A Vce(On)1.30V Half Brdge Trench PT
Запрос коммерческого предложения In Stock: 625107
Полезные советы: заполните форму ниже, и мы свяжемся с вами в ближайшее время.
*Количество:
*Ваше имя:
*Email:
телефон:
Целевая цена:
замечание:
Отправить запрос
  • Product Details
  • Shopping Guide
  • FAQs
Технические характеристики продукта
Product Attribute Attribute Value
Manufacturer Vishay
Product Category IGBT Transistors
RoHS
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Mounting Style Chassis Mount
Pd - Power Dissipation 1.136 kW
Product Type IGBT Transistors
Package / Case DIAP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage -
Minimum Operating Temperature - 40 C
Maximum Operating Temperature + 150 C
Brand Vishay Semiconductors
Configuration Dual
Continuous Collector Current At 25 C 580 A
Continuous Collector Current Ic Max 580 A
Gate-Emitter Leakage Current +/- 500 nA
Technology Si
Factory Pack Quantity 12
Subcategory IGBTs
Перекрестные ссылки
724282
1156
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/IGBT-Transistors_1156?proid=724282&N=
$