IA923EDJ-T4-GE3
Payment:
Delivery:

IA923EDJ-T4-GE3 , Vishay / Siliconix

Производитель: Vishay / Siliconix
Mfr.Part #: SIA923EDJ-T4-GE3
Пакет: PowerPAK-SC70-6
RoHS:
Техническая спецификация:

PDF For SIA923EDJ-T4-GE3

ECAD:
Описание:
MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
Запрос коммерческого предложения In Stock: 741634
Полезные советы: заполните форму ниже, и мы свяжемся с вами в ближайшее время.
*Количество:
*Ваше имя:
*Email:
телефон:
Целевая цена:
замечание:
Отправить запрос
  • Product Details
  • Shopping Guide
  • FAQs
Технические характеристики продукта
Product Attribute Attribute Value
Manufacturer Vishay
Product Category MOSFET
RoHS
Forward Transconductance - Min 11 S
Rds On - Drain-Source Resistance 54 mOhms
Rise Time 12 ns
Fall Time 10 ns
Mounting Style SMD/SMT
Pd - Power Dissipation 7.8 W
Product Type MOSFET
Number Of Channels 2 Channel
Package / Case PowerPAK-SC70-6
Length 2.05 mm
Width 2.05 mm
Height 0.75 mm
Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C
Channel Mode Enhancement
Series SIA
Packaging Cut Tape or Reel
Brand Vishay / Siliconix
Configuration Dual
Transistor Polarity P-Channel
Transistor Type 2 P-Channel
Vgs - Gate-Source Voltage 8 V
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage 500 mV
Qg - Gate Charge 25 nC
Technology Si
Id - Continuous Drain Current 4.5 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 20 V
Typical Turn-Off Delay Time 26 ns
Typical Turn-On Delay Time 7 ns
Factory Pack Quantity 3000
Subcategory MOSFETs
Tradename TrenchFET
Перекрестные ссылки
712079
1148
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/MOSFET_1148?proid=712079&N=
$