HUF75329D3
Payment:
Delivery:

HUF75329D3 , fairchild semiconductor

Производитель: fairchild semiconductor
Mfr.Part #: HUF75329D3
Пакет:
RoHS:
Техническая спецификация:

PDF For HUF75329D3

ECAD:
Описание:
MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
Запрос коммерческого предложения In Stock: 123187
Полезные советы: заполните форму ниже, и мы свяжемся с вами в ближайшее время.
*Количество:
*Ваше имя:
*Email:
телефон:
Целевая цена:
замечание:
Отправить запрос
  • Product Details
  • Shopping Guide
  • FAQs
Технические характеристики продукта
Product Attribute Attribute Value
Drain To Source Voltage (Vdss) 55 V
Vgs(Th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Mounting Type Through Hole
Fet Type N-Channel
Vgs (Max) ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 20 V
Fet Feature -
Supplier Device Package I-PAK
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1060 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 128W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Перекрестные ссылки
11936159
415
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors_415?proid=11936159&N=
$