FDC638P-P
Payment:
Delivery:

FDC638P-P , onsemi

Производитель: onsemi
Mfr.Part #: FDC638P-P
Пакет:
RoHS:
Техническая спецификация:

PDF For FDC638P-P

ECAD:
Описание:
MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
Запрос коммерческого предложения In Stock: 865045
Полезные советы: заполните форму ниже, и мы свяжемся с вами в ближайшее время.
*Количество:
*Ваше имя:
*Email:
телефон:
Целевая цена:
замечание:
Отправить запрос
  • Product Details
  • Shopping Guide
  • FAQs
Технические характеристики продукта
Product Attribute Attribute Value
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Fet Type P-Channel
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1160 pF @ 10 V
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(Th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Drain To Source Voltage (Vdss) 20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 48mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V
Fet Feature -
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Перекрестные ссылки
11955319
415
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors_415?proid=11955319&N=
$