FQP33N10
Payment:
Delivery:

FQP33N10 , onsemi

Производитель: onsemi
Mfr.Part #: FQP33N10
Пакет:
RoHS:
Техническая спецификация:

PDF For FQP33N10

ECAD:
Описание:
MOSFET N-CH 100V 33A TO220-3
Запрос коммерческого предложения In Stock: 187586
Полезные советы: заполните форму ниже, и мы свяжемся с вами в ближайшее время.
*Количество:
*Ваше имя:
*Email:
телефон:
Целевая цена:
замечание:
Отправить запрос
  • Product Details
  • Shopping Guide
  • FAQs
Технические характеристики продукта
Product Attribute Attribute Value
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 10 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(Th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 25 V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss) 100 V
Package / Case TO-220-3
Fet Type N-Channel
Vgs (Max) ±25V
Fet Feature -
Power Dissipation (Max) 127W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Перекрестные ссылки
11940723
415
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors_415?proid=11940723&N=
$